隨著小米 11 的正式發(fā)布，各大媒體的評測解禁，高通最新一代旗艦芯片驍龍 888 的實際性能表現(xiàn)也被公布了出來。

驍龍 888 采用的是三星的 5nm LPE 制程工藝，在這款芯片發(fā)布之前，蘋果推出的 A14 和華為發(fā)布的麒麟 9000 芯片也都采用了 5nm 制程工藝，只不過是由臺積電代工。

不過，驍龍 888 的實際表現(xiàn)并不理想。愛否科技的評測顯示，在 3DMark 壓力測試中，小米 11 會一直提醒溫度過高，導(dǎo)致測試無法進行，在經(jīng)過連續(xù)幾次的測試后，偶爾有一次成功了，但是機身表面溫度達到了 51°，穩(wěn)定性只有 91%，即便把手機放冰箱，穩(wěn)定性也只有 95%。

除愛否科技外，微博數(shù)碼大 V 在測試小米 11 性能時，也出現(xiàn)了一些問題。@肥威表示，自己拿到的機子在功耗方面有點踩雷，可能是早期系統(tǒng)固件的問題。

看到小米 11 的評測后，有網(wǎng)友表示，驍龍 888 翻車了，其原因是 5nm 制程工藝技術(shù)不成熟。真的是 5nm 制程工藝的問題嗎?

驍龍 888 實際表現(xiàn) “翻車”了?

結(jié)合目前已掌握的消息，驍龍 888 的 CPU 擁有 8 個核心，由 1 個超大核 Cortex-X1+3 個大核 Cortex-A78+4 個小核 Cortex-A55 組成，GPU 為 Adreno660。

按照官方的說法，驍龍 888 的 GPU 性能提升了 35%，能效提升 20%，但是從已有的數(shù)據(jù)來看，驍龍 865 的 GPU 為 Adreno650(587MHz)，驍龍 865 + 的 GPU 與前者相同，只是頻率上升至 670MHz，驍龍 888 則是 Adreno660(840MHz)。

也就是說驍龍 888 相較于驍龍 865 + 的 GPU 頻率提升了 20%，而相比 865 的頻率提升了 30%。這樣一對比你會發(fā)現(xiàn)，高通的 GPU 依舊沒有變過，底層的基礎(chǔ)框架結(jié)構(gòu)并沒有較大改動，像蘋果、公版 ARM 幾乎每隔一兩年都會對底層進行大更新。

接著我們再來看 CPU 部分，根據(jù)公開的數(shù)據(jù)，相比 Cortex-A78，Cortex-X1 在面積和功耗高了兩倍的情況下，性能只能提升 20%，這里就是所謂 “翻車”的焦點。

ARM 官方公布的數(shù)據(jù)顯示，4 個 Cortex-A78+4 個 Cortex-A55 比同頻的 Cortex-A77+Cortex-A55，性能提升 20%，能耗降低 15%。如果按照這個邏輯推算的話，那么 1 個 Cortex-X1+3 個 Cortex-A78+4 個 Cortex-A55，性能則提升 30%，功耗增加 15%。需要注意的是，它們的三級緩存(L3)的容量是不一樣的，前者為 4M，后者則是 8M。

三級緩存的作用在于 CPU 處理任務(wù)時，將任務(wù)數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存里面，不需要從內(nèi)存里調(diào)取，這樣處理速度會更快。緩存容量越大，意味著 CPU 處理任務(wù)的速度就越快。

單從紙面參數(shù)對比來看，Cortex-X1 有點像 Cortex-A57，當年 Cortex-A57 就是針對服務(wù)器設(shè)計的芯片，而 Cortex-X1 亦是如此。

現(xiàn)在我們不妨來做個簡單總結(jié)，CPU 方面，如果實測驍龍 888 的三級緩存是 8M，那么可能是 ARM 的鍋，反之，三級緩存低于 8M，高通也脫不了干系。GPU 方面，不滿頻率跑，如 500MHz，屬于正常發(fā)揮。至于制程工藝，三星給的低價或許早已給出了答案。

都是 5nm 制程工藝的鍋?

當然，并不是說三星給的報價比臺積電便宜，翻車的概率就會更大。事實上，今年臺積電的 5nm 制程也并不占優(yōu)。

臺積電這次 5nm 制程工藝的芯片表現(xiàn)也不理想，比如相比 A13 仿生，A14 仿生的性能提升并不明顯，華為的麒麟 9000 芯片，功耗控制和官方還是有較大差異的。如果單從測試結(jié)果來看的話，今年的 5nm 制程工藝，不管是臺積電還是三星，實際表現(xiàn)都沒能達到官方所宣傳的效果。

事實上，影響芯片性能的因素有很多，比如 5nm 制程工藝的個體差異比較大，結(jié)合目前的情況來看，只有個別小米 11 會在性能測試環(huán)節(jié)出現(xiàn)一些問題，像愛范兒拿到的那臺小米 11 性能表現(xiàn)就很正常。

除芯片制程工藝的個體差異外，機身內(nèi)部的結(jié)構(gòu)設(shè)計也會影響芯片性能，如果手機散熱做得差，芯片性能再強也是無法駕馭的。散熱這一塊，小米 11 做得還是很不錯的。從唯頌科技的拆解視頻來看，對比上代，小米 11 散熱還是有所提升的，小米在聽筒下方放入了一大塊 VC 液冷均熱板，緊貼主板 SOC 那一面，這樣設(shè)計的好處在于減少機身厚度的同時，進一步提升了主板的散熱能力。

從今年 5nm 制程工藝的芯片實際表現(xiàn)來看，不管制程工藝提升多少，可能對于芯片性能都不會帶來太大的提升。也就是說，未來制程工藝即便升級到 3nm，甚至是 1nm，芯片性能與上代相比提升也不會有多少。

所以，單方面認為 5nm 制程工藝存在問題這一說法并不準確。官方所展示的是 5nm 制程工藝在理想狀態(tài)下的性能提升，實際測試有所差異也是可以理解的。而且網(wǎng)上也只是個別的小米 11 媒體機在性能測試環(huán)節(jié)出現(xiàn)了問題，并不代表所有小米 11、驍龍 888 或 5nm 制程工藝都會有類似的情況發(fā)生。

除此之外，目前媒體拿到的都是小米 11 工程機，與市面上發(fā)售的版本還存在一定的差異。另外，現(xiàn)階段小米 11 預(yù)裝的系統(tǒng)版本可能還沒有對驍龍 888 做全方位的優(yōu)化。至于 5nm 制程工藝到底有沒有 “翻車”，就要看零售版小米 11 的實際性能表現(xiàn)了。

總的來說，小米 11 性能測試 “翻車”，其實和 5nm 制程工藝技術(shù)不成熟沒有太大關(guān)系，如果是因為技術(shù)問題，說實話臺積電和三星也做不到量產(chǎn)，畢竟這關(guān)乎到芯片良品率的問題。

今年受疫情影響，哪怕是蘋果也不敢保證自家產(chǎn)品不會出現(xiàn)問題，新的處理器和廠商的產(chǎn)品之間都有一個磨合期，如果后期升級系統(tǒng)固件，成功修復(fù)了那些存在問題的機型，說明誰都不用背鍋，只是沒有做好優(yōu)化罷了。

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